解说亚洲半导体：老牌领袖与中国大陆的雄心

如果我们必须选择一个决定性的时刻，引领三星在技术上处于领先地位，那将是他们决定在 DRAM 中采用堆叠电容器架构。电容器是 DRAM 中的关键组件，负责将电荷存储为内存。早在 2000 年代初期，关于电容器架构的两种思想流派导致了 DRAM 技术路线图的分歧——即堆叠式和沟槽式。三星的竞争对手追求的是挖沟，因为它的垂直结构能够实现更高的频率。然而，随着芯片尺寸随着时间的推移而缩小，性能成为一个问题，因为芯片变得太薄，因此垂直结构成为一个限制因素。虽然堆叠电容器有一些初始性能问题，事实证明，它们更强大，并且至关重要地使三星和海力士等公司能够以更快的速度缩小其 DRAM 芯片。因此，奇梦达、力晶、Promos、Inotera 和尔必达等具有周期性投资策略或追求挖沟电容器的公司要么被收购，要么退出该行业，要么破产。

 

　　于是到了今天，我们看到了一个类似于寡头垄断的存储器行业。在那里，理性追求盈利能力优先于积极的市场份额增长。

 

　　总的来说，作为一个投资团队，我们花了大量时间研究中国的半导体格局，因为中国现在占世界半导体产能的约 20%8再加上对中国公司非常有利的政策背景寻求制造或设计芯片。2014 年，中国制定了到 2030年实现半导体设计制造行业世界第一的目标，行业和投资者面临的最大问题之一是——他们能否实现这一雄心勃勃的目标？中国成功的影响显然对现有企业不利，因为中国的旨在建立一个零依赖外部实体的全资半导体供应链。它既是一个国家安全问题，也是一个经济问题，超出了半导体领域。中国的理想结果是拥有一个完全拥有的集成垂直堆栈。当前等效的是运行在 TSMC 芯片和/或三星 DRAM 上的 Apple 的 iOS。

 

　　我们的研究表明，完全自给自足是不太可能的——不仅因为与台积电和三星竞争处于领先地位非常困难，而且还因为高端设备和软件严重依赖其他国家。然而，我们认为中国可以在某些领域取得巨大成功。例如，5G 应该推动芯片扩散到几乎所有电子产品中，以实现更大的互连性。5G 所需的大部分芯片都处于初级阶段，因此进入门槛较低，并且对大批量和快速生产周期的需求发挥了中国的优势。